半导体叠层结构的制造方法及半导体结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311789157.2
申请日
2023-12-25
公开(公告)号
CN117476549A
公开(公告)日
2024-01-30
发明(设计)人
宋富冉 周儒领
申请人
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址
230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
IPC主分类号
H01L21/768
IPC分类号
H01L23/528
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
杨明莉
法律状态
授权
国省代码
天津市 市辖区
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共 50 条
[1]
半导体叠层结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
宋富冉 ;
周儒领 .
中国专利 :CN117476549B ,2024-04-09
[2]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
乔梦竹 .
中国专利 :CN114203624A ,2022-03-18
[3]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
吴公一 ;
陆勇 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN114078852A ,2022-02-22
[4]
半导体结构及半导体结构的制造方法 [P]. 
吴公一 ;
陆勇 ;
陈龙阳 .
中国专利 :CN114078852B ,2024-11-01
[5]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
刘瑞雯 ;
傅劲松 ;
袁家贵 .
中国专利 :CN119786434A ,2025-04-08
[6]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
乔梦竹 .
中国专利 :CN114203624B ,2025-01-17
[7]
半导体结构的制造方法及半导体结构 [P]. 
吴森 ;
许鹏凯 ;
王一 ;
孙文彦 .
中国专利 :CN109599341A ,2019-04-09
[8]
半导体层结构及制造半导体层结构的方法 [P]. 
布里安·墨非 ;
迈克·黑伯伦 ;
约尔格·林德纳 .
中国专利 :CN1892984A ,2007-01-10
[9]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
宋富冉 ;
周儒领 .
中国专利 :CN119742276B ,2025-07-15
[10]
半导体结构的制备方法及半导体结构 [P]. 
宋富冉 ;
周儒领 .
中国专利 :CN119742276A ,2025-04-01