嵌入式外延层的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110330203.7
申请日
2021-03-29
公开(公告)号
CN113140462B
公开(公告)日
2024-03-08
发明(设计)人
涂火金 张瑜
申请人
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L29/78 H01L29/08 H01L29/36
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
授权
国省代码
上海市
引用
下载
收藏
共 50 条
[41]
外延基板的制造方法以及外延基板 [P]. 
宫下耕平 ;
岸健 ;
米村卓巳 .
中国专利 :CN114631170A ,2022-06-14
[42]
外延基板的制造方法以及外延基板 [P]. 
宫下耕平 ;
岸健 ;
米村卓巳 .
日本专利 :CN114631170B ,2025-04-22
[43]
外延片的制造方法及外延片 [P]. 
铃木克佳 ;
铃木温 .
中国专利 :CN114930500A ,2022-08-19
[44]
外延层的形成方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN103871849A ,2014-06-18
[45]
外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置 [P]. 
俎世琦 ;
方圭哲 ;
张海博 .
中国专利 :CN120866935A ,2025-10-31
[46]
外延后光刻对准零层标记的方法 [P]. 
阚欢 ;
吴鹏 .
中国专利 :CN102034685B ,2011-04-27
[47]
外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置 [P]. 
张磊 ;
董信国 ;
储郁冬 ;
贾超超 .
中国专利 :CN118685855A ,2024-09-24
[48]
硅外延层厚度量测方法 [P]. 
洪佳琪 ;
谭俊 ;
颜强 .
中国专利 :CN118538622A ,2024-08-23
[49]
嵌入式锗硅器件的制作方法 [P]. 
鲍宇 ;
周军 ;
朱亚丹 ;
曾真 .
中国专利 :CN104409352A ,2015-03-11
[50]
外延生长装置及外延晶片的制造方法 [P]. 
胡盛珀 ;
楢原和宏 .
日本专利 :CN114026273B ,2024-01-09