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嵌入式外延层的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110330203.7
申请日
:
2021-03-29
公开(公告)号
:
CN113140462B
公开(公告)日
:
2024-03-08
发明(设计)人
:
涂火金
张瑜
申请人
:
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L29/78
H01L29/08
H01L29/36
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
授权
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-08
授权
授权
共 50 条
[41]
外延基板的制造方法以及外延基板
[P].
宫下耕平
论文数:
0
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0
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宫下耕平
;
岸健
论文数:
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岸健
;
米村卓巳
论文数:
0
引用数:
0
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米村卓巳
.
中国专利
:CN114631170A
,2022-06-14
[42]
外延基板的制造方法以及外延基板
[P].
宫下耕平
论文数:
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机构:
住友电工光电子器件创新株式会社
住友电工光电子器件创新株式会社
宫下耕平
;
岸健
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机构:
住友电工光电子器件创新株式会社
住友电工光电子器件创新株式会社
岸健
;
米村卓巳
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0
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0
机构:
住友电工光电子器件创新株式会社
住友电工光电子器件创新株式会社
米村卓巳
.
日本专利
:CN114631170B
,2025-04-22
[43]
外延片的制造方法及外延片
[P].
铃木克佳
论文数:
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铃木克佳
;
铃木温
论文数:
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铃木温
.
中国专利
:CN114930500A
,2022-08-19
[44]
外延层的形成方法
[P].
刘继全
论文数:
0
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0
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0
刘继全
.
中国专利
:CN103871849A
,2014-06-18
[45]
外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置
[P].
俎世琦
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
俎世琦
;
方圭哲
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
方圭哲
;
张海博
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
张海博
.
中国专利
:CN120866935A
,2025-10-31
[46]
外延后光刻对准零层标记的方法
[P].
阚欢
论文数:
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阚欢
;
吴鹏
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0
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吴鹏
.
中国专利
:CN102034685B
,2011-04-27
[47]
外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置
[P].
张磊
论文数:
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
张磊
;
董信国
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
董信国
;
储郁冬
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
储郁冬
;
贾超超
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
贾超超
.
中国专利
:CN118685855A
,2024-09-24
[48]
硅外延层厚度量测方法
[P].
洪佳琪
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
洪佳琪
;
谭俊
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
谭俊
;
颜强
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
颜强
.
中国专利
:CN118538622A
,2024-08-23
[49]
嵌入式锗硅器件的制作方法
[P].
鲍宇
论文数:
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鲍宇
;
周军
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周军
;
朱亚丹
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朱亚丹
;
曾真
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曾真
.
中国专利
:CN104409352A
,2015-03-11
[50]
外延生长装置及外延晶片的制造方法
[P].
胡盛珀
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机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
胡盛珀
;
楢原和宏
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机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
楢原和宏
.
日本专利
:CN114026273B
,2024-01-09
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