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外延晶圆以及外延晶圆的制造方法和装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510775793.2
申请日：
2025-06-11
公开(公告)号：
CN120866935A
公开(公告)日：
2025-10-31
发明(设计)人：
俎世琦 方圭哲 张海博
申请人：
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请人地址：
710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
IPC主分类号：
C30B25/16
IPC分类号：
H01L21/02
代理机构：
西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253
代理人：
沈寒酉;李斌栋
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-31 公开 公开
2025-11-18 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/16申请日:20250611
共 50 条
[1]
外延晶圆及改善外延晶圆平坦度的方法和装置 [P]. 
方圭哲 ;
俎世琦 ;
张海博 .
中国专利 :CN120767187A ,2025-10-10
[2]
外延生长方法以及外延晶圆 [P]. 
何斌斌 ;
俎世琦 ;
金柱炫 .
中国专利 :CN119230390A ,2024-12-31
[3]
外延晶圆及其制造方法和装置 [P]. 
梁鹏欢 .
中国专利 :CN119153349A ,2024-12-17
[4]
用于制备外延晶圆的方法、系统及外延晶圆 [P]. 
俎世琦 ;
方圭哲 ;
张海博 .
中国专利 :CN120905774A ,2025-11-07
[5]
异质外延晶圆的制造方法 [P]. 
松原寿树 ;
铃木温 ;
阿部达夫 ;
土屋庆太郎 ;
铃木由佳里 ;
大槻刚 .
日本专利 :CN117940621A ,2024-04-26
[6]
外延生长基座、设备、方法以及外延晶圆 [P]. 
张海博 ;
俎世琦 .
中国专利 :CN119663440A ,2025-03-21
[7]
一种改善外延晶圆平坦度的方法以及外延晶圆 [P]. 
蒲以松 ;
赵敏剑 ;
惠聪 .
中国专利 :CN113838746A ,2021-12-24
[8]
外延生长设备、外延生长方法以及外延晶圆 [P]. 
孙毅 ;
杨海龙 .
中国专利 :CN119764210A ,2025-04-04
[9]
外延生长设备、外延生长方法以及外延晶圆 [P]. 
孙毅 ;
杨海龙 .
中国专利 :CN119764210B ,2025-11-18
[10]
外延生长晶圆及其制造方法 [P]. 
长谷川博之 .
中国专利 :CN108505114B ,2018-09-07
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