嵌入式锗硅器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410693124.2

申请日：

2014-11-26

公开(公告)号：

CN104409352A

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

鲍宇周军朱亚丹曾真

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2908

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

王宏婧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-11	公开	公开
2017-05-24	授权	授权
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604805179 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014106931242 申请日:20141126

共 50 条

[1]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104392996A ,2015-03-04

[2]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104409505A ,2015-03-11

[3]

嵌入式锗硅器件的制作方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104392930A ,2015-03-04

[4]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

杜丽琼 ;

郑印呈 .

中国专利 :CN119997551A ,2025-05-13

[5]

嵌入式锗硅器件的制造方法及嵌入式锗硅器件结构 [P].

黄秋铭 ;

谭俊 ;

颜强 .

中国专利 :CN110444473A ,2019-11-12

[6]

嵌入式锗硅制作方法及嵌入式锗硅结构 [P].

李中华 ;

朱轶铮 ;

李润领 .

中国专利 :CN111403283A ,2020-07-10

[7]

嵌入式锗硅器件的形成方法 [P].

李全波 ;

崇二敏 ;

张瑜 .

中国专利 :CN105679710A ,2016-06-15

[8]

一种嵌入式锗硅结构的制作方法 [P].

鲍宇 ;

周海锋 ;

方精训 ;

谭俊 ;

周军 ;

李润领 .

中国专利 :CN104900530A ,2015-09-09

[9]

用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法 [P].

叶好华 .

中国专利 :CN102569082A ,2012-07-11

[10]

嵌入式锗硅器件及其制备方法 [P].

卢越野 ;

周佳琪 ;

张帅君 .

中国专利 :CN119698060A ,2025-03-25

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