嵌入式锗硅制作方法及嵌入式锗硅结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010138897.X

申请日：

2020-03-03

公开(公告)号：

CN111403283A

公开(公告)日：

2020-07-10

发明(设计)人：

李中华朱轶铮李润领

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2908 H01L2978 H01L218234 H01L27088

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦天雷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200303
2020-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

嵌入式锗硅器件的制造方法及嵌入式锗硅器件结构 [P].

黄秋铭 ;

谭俊 ;

颜强 .

中国专利 :CN110444473A ,2019-11-12

[2]

嵌入式锗硅器件的制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104409352A ,2015-03-11

[3]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104392996A ,2015-03-04

[4]

嵌入式锗硅器件的制作方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104392930A ,2015-03-04

[5]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104409505A ,2015-03-11

[6]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

杜丽琼 ;

郑印呈 .

中国专利 :CN119997551A ,2025-05-13

[7]

一种嵌入式锗硅结构的制作方法 [P].

鲍宇 ;

周海锋 ;

方精训 ;

谭俊 ;

周军 ;

李润领 .

中国专利 :CN104900530A ,2015-09-09

[8]

嵌入式锗硅结构及其制造方法 [P].

颜强 ;

黄秋铭 ;

谭俊 .

中国专利 :CN109638068A ,2019-04-16

[9]

用于制作嵌入式锗硅的方法 [P].

鲍宇 ;

周海锋 ;

李润领 ;

谭俊 .

中国专利 :CN105321882B ,2016-02-10

[10]

嵌入式锗硅结构的制造方法 [P].

丁弋 ;

张明华 ;

方精训 ;

严均华 .

中国专利 :CN103346086B ,2013-10-09

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