一种嵌入式锗硅结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510213373.1

申请日：

2015-04-29

公开(公告)号：

CN104900530A

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

鲍宇周海锋方精训谭俊周军李润领

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;陈慧弘

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628108582 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015102133731 申请日:20150429
2018-08-28	授权	授权
2015-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

嵌入式锗硅制作方法及嵌入式锗硅结构 [P].

李中华 ;

朱轶铮 ;

李润领 .

中国专利 :CN111403283A ,2020-07-10

[2]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104392996A ,2015-03-04

[3]

嵌入式锗硅器件的制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104409352A ,2015-03-11

[4]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104409505A ,2015-03-11

[5]

嵌入式锗硅器件的制作方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104392930A ,2015-03-04

[6]

嵌入式锗硅器件的制造方法及嵌入式锗硅器件结构 [P].

黄秋铭 ;

谭俊 ;

颜强 .

中国专利 :CN110444473A ,2019-11-12

[7]

嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法 [P].

谭俊 ;

高剑琴 ;

周海锋 .

中国专利 :CN105374665B ,2016-03-02

[8]

用于形成嵌入式锗硅的方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN105304491B ,2016-02-03

[9]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

杜丽琼 ;

郑印呈 .

中国专利 :CN119997551A ,2025-05-13

[10]

用于制作嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的方法 [P].

叶好华 .

中国专利 :CN102569082A ,2012-07-11

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