嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510707870.7

申请日：

2015-10-27

公开(公告)号：

CN105374665B

公开(公告)日：

2016-03-02

发明(设计)人：

谭俊高剑琴周海锋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2966 H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101652510524 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015107078707 申请日:20151027
2019-01-22	授权	授权
2016-03-02	公开	公开

共 50 条

[1]

嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法 [P].

高剑琴 ;

谭俊 .

中国专利 :CN105261567A ,2016-01-20

[2]

嵌入式锗硅外延层的制造方法 [P].

李中华 ;

李润领 .

中国专利 :CN111599762A ,2020-08-28

[3]

嵌入式锗硅制作方法及嵌入式锗硅结构 [P].

李中华 ;

朱轶铮 ;

李润领 .

中国专利 :CN111403283A ,2020-07-10

[4]

嵌入式锗硅器件的制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104409352A ,2015-03-11

[5]

嵌入式锗硅器件的制作方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104392930A ,2015-03-04

[6]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104392996A ,2015-03-04

[7]

一种嵌入式锗硅结构的制作方法 [P].

鲍宇 ;

周海锋 ;

方精训 ;

谭俊 ;

周军 ;

李润领 .

中国专利 :CN104900530A ,2015-09-09

[8]

嵌入式锗硅器件及其制作方法 [P].

鲍宇 ;

周军 ;

朱亚丹 ;

曾真 .

中国专利 :CN104409505A ,2015-03-11

[9]

形成硅锗外延层的方法 [P].

谭俊 ;

黄秋铭 ;

颜强 .

中国专利 :CN110010551A ,2019-07-12

[10]

用于制作嵌入式锗硅的方法 [P].

鲍宇 ;

周海锋 ;

李润领 ;

谭俊 .

中国专利 :CN105321882B ,2016-02-10

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