共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
形成硅锗外延层的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910174278.3
申请日：
2019-03-04
公开(公告)号：
CN110010551A
公开(公告)日：
2019-07-12
发明(设计)人：
谭俊
黄秋铭
颜强
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号：
H01L218234
IPC分类号：
H01L2102
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-08-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20190304 |
| 2019-07-12 | 公开 | 公开 |
| 2021-11-26 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请公布日:20190712 |