一种形成硅锗外延层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310178711.7

申请日：

2023-02-23

公开(公告)号：

CN116121866B

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

李东明

申请人：

河北百展科技发展有限公司

申请人地址：

050000 河北省石家庄市裕华区裕华东路150号国际丽都1号楼2单元703室

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B25/02 C30B29/52 C23C14/06 C23C14/35 C23C14/58 B82Y40/00

代理机构：

石家庄领皓专利代理有限公司 13130

代理人：

姬学森

法律状态：

授权

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

形成硅锗外延层的方法 [P].

谭俊 ;

黄秋铭 ;

颜强 .

中国专利 :CN110010551A ,2019-07-12

[2]

硅锗外延层的形成方法 [P].

何有丰 .

中国专利 :CN102479717B ,2012-05-30

[3]

一种硅锗外延层的形成方法 [P].

袁子凡 ;

李典 .

中国专利 :CN117976526A ,2024-05-03

[4]

硅锗外延层的制造方法 [P].

江日舜 ;

施泓林 ;

唐力原 ;

蒋天福 ;

范铭棋 ;

廖晋毅 ;

简金城 .

中国专利 :CN101170060B ,2008-04-30

[5]

一种锗硅外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN102956445A ,2013-03-06

[6]

一种锗硅硼外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN104851783A ,2015-08-19

[7]

一种锗硅硼外延层生长方法 [P].

禹国宾 ;

涂火金 ;

何永根 .

中国专利 :CN103000499B ,2013-03-27

[8]

一种形成硅外延层的方法 [P].

唐兆云 ;

陆智勇 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN105702621A ,2016-06-22

[9]

用于形成硅外延层的方法 [P].

马利克·本曼索尔 ;

让-保罗·加朗代 ;

丹尼尔·莫尔万 .

中国专利 :CN104781455A ,2015-07-15

[10]

一种外延生长锗硅应力层的预清洗方法 [P].

王全 .

中国专利 :CN102945793A ,2013-02-27

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