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锗硅外延层、其形成方法及一PMOS器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910676739.7
申请日：
2019-07-25
公开(公告)号：
CN110400844A
公开(公告)日：
2019-11-01
发明(设计)人：
陈勇跃
颜强
周海锋
方精训
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29167
H01L2910
H01L21336
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-11-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190725 |
| 2019-11-01 | 公开 | 公开 |