PMOS器件及其压缩沟道层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610164675.5

申请日：

2006-12-15

公开(公告)号：

CN100517620C

公开(公告)日：

2007-06-20

发明(设计)人：

朴真河

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597012203 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2006101646755 申请日:20061215 授权公告日:20090722 终止日期:20131215
2007-06-20	公开	公开
2007-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

PMOS器件应力层结构及其形成方法 [P].

罗康 ;

汪军 .

中国专利 :CN110416298A ,2019-11-05

[2]

锗硅沟道形成方法 [P].

李妍 ;

辻直樹 .

中国专利 :CN115050698A ,2022-09-13

[3]

PMOS晶体管及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P].

韦庆松 ;

于书坤 .

中国专利 :CN104241130B ,2014-12-24

[4]

PMOS结构及其形成方法 [P].

李凤莲 .

中国专利 :CN105374684A ,2016-03-02

[5]

具有替换沟道的多栅极器件及其形成方法 [P].

郭志伟 ;

赵元舜 ;

陈豪育 ;

杨士洪 .

中国专利 :CN103378156A ,2013-10-30

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[7]

PMOS晶体管及其形成方法 [P].

焦明洁 ;

宋化龙 ;

隋运奇 .

中国专利 :CN103426766B ,2013-12-04

[8]

锗硅外延层、其形成方法及一PMOS器件 [P].

陈勇跃 ;

颜强 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN110400844A ,2019-11-01

[9]

VDMOS器件的形成方法 [P].

楼颖颖 ;

克里丝 .

中国专利 :CN102148164A ,2011-08-10

[10]

SONOS器件的形成方法 [P].

丁航晨 ;

张强 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN107958908A ,2018-04-24

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