外延后光刻对准零层标记的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910057946.0

申请日：

2009-09-24

公开(公告)号：

CN102034685B

公开(公告)日：

2011-04-27

发明(设计)人：

阚欢吴鹏

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21027 G03F720

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王关根

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-27	公开	公开
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101079136799 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2009100579460 申请日:20090924
2012-08-01	授权	授权
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101685159376 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2009100579460 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131218

共 50 条

[1]

零层光刻对准标记的制造方法 [P].

吴智勇 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN102956617A ,2013-03-06

[2]

厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN105047647B ,2015-11-11

[3]

改善外延层上光刻标记的方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN109786227A ,2019-05-21

[4]

厚外延工艺光刻对准标记结构 [P].

刘继全 ;

高杏 ;

罗啸 ;

李伟峰 .

中国专利 :CN103676485B ,2014-03-26

[5]

光刻对准标记的制备方法 [P].

陈华伦 ;

陈雄斌 ;

陈瑜 ;

熊涛 ;

罗啸 .

中国专利 :CN101452211A ,2009-06-10

[6]

形成光刻对准标记的方法 [P].

季伟 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN101958237A ,2011-01-26

[7]

应用于双层外延工艺的光刻对准标记的制作方法 [P].

程晋广 ;

王辉 .

中国专利 :CN105118824A ,2015-12-02

[8]

全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法 [P].

刘继全 ;

高杏 .

中国专利 :CN103578968A ,2014-02-12

[9]

制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法 [P].

钱志刚 ;

季伟 .

中国专利 :CN103035511B ,2013-04-10

[10]

两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN104882436A ,2015-09-02

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