零层光刻对准标记的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110255647.5

申请日：

2011-08-31

公开(公告)号：

CN102956617A

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

吴智勇刘鹏

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

刘昌荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101430519312 IPC(主分类):H01L 23/544 专利申请号:2011102556475 申请日:20110831
2014-01-29	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101687992623 IPC(主分类):H01L 23/544 专利申请号:2011102556475 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140103
2015-06-03	授权	授权
2013-03-06	公开	公开

共 50 条

[1]

外延后光刻对准零层标记的方法 [P].

阚欢 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN102034685B ,2011-04-27

[2]

光刻对准标记 [P].

王哲忠 ;

叶峻玮 .

中国专利 :CN212392242U ,2021-01-22

[3]

薄金属层光刻对准标记的制作方法 [P].

童宇锋 ;

李伟峰 ;

陈福成 .

中国专利 :CN103000616A ,2013-03-27

[4]

光刻对准标记、光刻对准方法以及半导体器件制备方法 [P].

王哲忠 ;

叶峻玮 .

中国专利 :CN111916427A ,2020-11-10

[5]

光刻对准标记的制备方法 [P].

陈华伦 ;

陈雄斌 ;

陈瑜 ;

熊涛 ;

罗啸 .

中国专利 :CN101452211A ,2009-06-10

[6]

形成光刻对准标记的方法 [P].

季伟 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN101958237A ,2011-01-26

[7]

两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN104882436A ,2015-09-02

[8]

厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN105047647B ,2015-11-11

[9]

一种零层光刻对准标记的制作方法及半导体结构 [P].

刘欣 ;

孙九龙 .

中国专利 :CN119937263A ,2025-05-06

[10]

光刻标记对准方法和芯片制备方法 [P].

李强 ;

张熠鑫 ;

杨寿国 ;

高宏伟 .

中国专利 :CN108231742A ,2018-06-29

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