厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510426779.8

申请日：

2015-07-20

公开(公告)号：

CN105047647B

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

王辉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	公开	公开
2015-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101636440038 IPC(主分类):H01L 23/544 专利申请号:2015104267798 申请日:20150720
2018-10-26	授权	授权

共 50 条

[1]

外延工艺中光刻标记的制作方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN104779241B ,2015-07-15

[2]

厚外延工艺光刻对准标记结构 [P].

刘继全 ;

高杏 ;

罗啸 ;

李伟峰 .

中国专利 :CN103676485B ,2014-03-26

[3]

应用于双层外延工艺的光刻对准标记的制作方法 [P].

程晋广 ;

王辉 .

中国专利 :CN105118824A ,2015-12-02

[4]

两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN104882436A ,2015-09-02

[5]

全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法 [P].

刘继全 ;

高杏 .

中国专利 :CN103578968A ,2014-02-12

[6]

外延后光刻对准零层标记的方法 [P].

阚欢 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN102034685B ,2011-04-27

[7]

应用于外延工艺的光刻标记及其制造方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN103872019A ,2014-06-18

[8]

光刻对准标记的制备方法 [P].

陈华伦 ;

陈雄斌 ;

陈瑜 ;

熊涛 ;

罗啸 .

中国专利 :CN101452211A ,2009-06-10

[9]

形成光刻对准标记的方法 [P].

季伟 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN101958237A ,2011-01-26

[10]

一种用于外延工艺的光刻对准方法 [P].

朱骏 .

中国专利 :CN102005369A ,2011-04-06

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