应用于外延工艺的光刻标记及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210549907.4

申请日：

2012-12-17

公开(公告)号：

CN103872019A

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

李伟峰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

H01L21311 G03F720

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-18	公开	公开
2016-08-17	授权	授权
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效申请日:20121217 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583762175 IPC(主分类):H01L 23/544 专利申请号:2012105499074

共 50 条

[1]

应用于外延工艺的光刻标记及方法 [P].

王雷 ;

苏波 ;

李伟峰 ;

程晋广 .

中国专利 :CN103700649A ,2014-04-02

[2]

应用于双层外延工艺的光刻对准标记的制作方法 [P].

程晋广 ;

王辉 .

中国专利 :CN105118824A ,2015-12-02

[3]

应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法 [P].

王雷 ;

孟鸿林 .

中国专利 :CN102456540A ,2012-05-16

[4]

外延工艺中光刻标记的制作方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN104779241B ,2015-07-15

[5]

厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN105047647B ,2015-11-11

[6]

厚外延工艺光刻对准标记结构 [P].

刘继全 ;

高杏 ;

罗啸 ;

李伟峰 .

中国专利 :CN103676485B ,2014-03-26

[7]

全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法 [P].

刘继全 ;

高杏 .

中国专利 :CN103578968A ,2014-02-12

[8]

外延后光刻对准零层标记的方法 [P].

阚欢 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN102034685B ,2011-04-27

[9]

一种用于外延工艺的光刻对准方法 [P].

朱骏 .

中国专利 :CN102005369A ,2011-04-06

[10]

两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN104882436A ,2015-09-02

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