应用于外延工艺中的光刻套刻标记的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010511407.2

申请日：

2010-10-19

公开(公告)号：

CN102456540A

公开(公告)日：

2012-05-16

发明(设计)人：

王雷孟鸿林

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L23544 G03F142

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-29	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101687992107 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105114072 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140103
2014-05-21	授权	授权
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101274715186 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105114072 申请日:20101019
2012-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

应用于外延工艺的光刻标记及方法 [P].

王雷 ;

苏波 ;

李伟峰 ;

程晋广 .

中国专利 :CN103700649A ,2014-04-02

[2]

应用于外延工艺的光刻标记及其制造方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN103872019A ,2014-06-18

[3]

应用于双层外延工艺的光刻对准标记的制作方法 [P].

程晋广 ;

王辉 .

中国专利 :CN105118824A ,2015-12-02

[4]

外延工艺中光刻标记的制作方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN104779241B ,2015-07-15

[5]

厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN105047647B ,2015-11-11

[6]

两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN104882436A ,2015-09-02

[7]

一种用于外延工艺的光刻对准方法 [P].

朱骏 .

中国专利 :CN102005369A ,2011-04-06

[8]

改善外延层上光刻标记的方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN109786227A ,2019-05-21

[9]

全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法 [P].

刘继全 ;

高杏 .

中国专利 :CN103578968A ,2014-02-12

[10]

外延后光刻对准零层标记的方法 [P].

阚欢 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN102034685B ,2011-04-27

← 1 2 3 4 5 →