两次外延工艺中光刻对准标记的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510148383.1

申请日：

2015-03-31

公开(公告)号：

CN104882436A

公开(公告)日：

2015-09-02

发明(设计)人：

王辉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-02	公开	公开
2018-02-06	授权	授权
2015-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101627837898 IPC(主分类):H01L 23/544 专利申请号:2015101483831 申请日:20150331

共 50 条

[1]

厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN105047647B ,2015-11-11

[2]

外延工艺中光刻标记的制作方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN104779241B ,2015-07-15

[3]

应用于双层外延工艺的光刻对准标记的制作方法 [P].

程晋广 ;

王辉 .

中国专利 :CN105118824A ,2015-12-02

[4]

全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法 [P].

刘继全 ;

高杏 .

中国专利 :CN103578968A ,2014-02-12

[5]

厚外延工艺光刻对准标记结构 [P].

刘继全 ;

高杏 ;

罗啸 ;

李伟峰 .

中国专利 :CN103676485B ,2014-03-26

[6]

薄金属层光刻对准标记的制作方法 [P].

童宇锋 ;

李伟峰 ;

陈福成 .

中国专利 :CN103000616A ,2013-03-27

[7]

用于曝光工艺的对准标记的制作方法 [P].

邓咏桢 ;

曹秀亮 .

中国专利 :CN102394234A ,2012-03-28

[8]

零层光刻对准标记的制造方法 [P].

吴智勇 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN102956617A ,2013-03-06

[9]

外延后光刻对准零层标记的方法 [P].

阚欢 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN102034685B ,2011-04-27

[10]

两次沟槽型超级结器件的对准标记制造方法 [P].

斯海国 .

中国专利 :CN104658889B ,2015-05-27

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