光刻对准标记的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710094318.0

申请日：

2007-11-28

公开(公告)号：

CN101452211A

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

陈华伦陈雄斌陈瑜熊涛罗啸

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

G03F300 H01L23544

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101192746735 IPC(主分类):G03F 7/20 专利申请号:2007100943180 公开日:20090610
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-10	公开	公开

共 50 条

[1]

形成光刻对准标记的方法 [P].

季伟 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN101958237A ,2011-01-26

[2]

光刻标记对准方法和芯片制备方法 [P].

李强 ;

张熠鑫 ;

杨寿国 ;

高宏伟 .

中国专利 :CN108231742A ,2018-06-29

[3]

外延后光刻对准零层标记的方法 [P].

阚欢 ;

吴鹏 .

中国专利 :CN102034685B ,2011-04-27

[4]

零层光刻对准标记的制造方法 [P].

吴智勇 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN102956617A ,2013-03-06

[5]

光刻对准标记及其形成方法 [P].

郑辉 ;

何洪波 ;

王剑 .

中国专利 :CN113394198A ,2021-09-14

[6]

厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法 [P].

王辉 .

中国专利 :CN105047647B ,2015-11-11

[7]

化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法 [P].

李伟峰 ;

王雷 ;

王哲献 .

中国专利 :CN105529322A ,2016-04-27

[8]

保护厚金属层光刻对准标记的方法 [P].

苏波 .

中国专利 :CN103021803A ,2013-04-03

[9]

光刻掩模板、对准标记及其制备方法以及湿法刻蚀方法 [P].

李登峰 ;

文高 ;

谭灿健 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112198754A ,2021-01-08

[10]

薄金属层光刻对准标记的制作方法 [P].

童宇锋 ;

李伟峰 ;

陈福成 .

中国专利 :CN103000616A ,2013-03-27

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