硅衬底上立式GaSb纳米线及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910776612.2

申请日：

2019-08-21

公开(公告)号：

CN110504159B

公开(公告)日：

2019-11-26

发明(设计)人：

潘东文炼均赵建华

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2518 C30B2940

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-26	公开	公开
2021-05-11	授权	授权
2019-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190821

共 50 条

[1]

用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法 [P].

唐吉龙 ;

方铉 ;

魏志鹏 ;

高娴 ;

陈芳 ;

房丹 ;

李金华 ;

楚学影 ;

方芳 ;

王晓华 ;

王菲 .

中国专利 :CN105019027B ,2015-11-04

[2]

硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 [P].

杨涛 ;

王小耶 .

中国专利 :CN103794474A ,2014-05-14

[3]

硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用 [P].

张建军 ;

高飞 .

中国专利 :CN110047734A ,2019-07-23

[4]

一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN103021806A ,2013-04-03

[5]

一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法 [P].

范春晖 .

中国专利 :CN102496563A ,2012-06-13

[6]

在衬底上制备GaN纳米线的方法 [P].

刘志强 ;

伍绍腾 ;

伊晓燕 ;

黄洋 ;

程成 ;

王蕴玉 ;

綦成林 .

中国专利 :CN107910243A ,2018-04-13

[7]

硅纳米线的制备方法 [P].

曾湘波 ;

廖显伯 ;

刁宏伟 ;

向贤碧 ;

孔光临 ;

徐艳月 ;

张世斌 .

中国专利 :CN1796267A ,2006-07-05

[8]

硅纳米线的制备方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN102086024A ,2011-06-08

[9]

硅纳米线及其制备方法、硅纳米线的图形化制备方法 [P].

檀满林 ;

田勇 ;

张维丽 .

中国专利 :CN108996471A ,2018-12-14

[10]

硅纳米线材料及其制备方法 [P].

宗睿 ;

毛双 ;

郑申棵 ;

吴渐 ;

徐文静 .

中国专利 :CN120423554A ,2025-08-05

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