硅纳米线的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410098999.4

申请日：

2004-12-23

公开(公告)号：

CN1796267A

公开(公告)日：

2006-07-05

发明(设计)人：

曾湘波廖显伯刁宏伟向贤碧孔光临徐艳月张世斌

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-05	公开	公开
2006-08-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

有序硅纳米线的制备方法 [P].

石明吉 ;

陈兰莉 ;

丁淑娟 ;

尹应鹏 ;

于家辉 ;

罗鹏晖 .

中国专利 :CN101871116A ,2010-10-27

[2]

一种硅纳米线的制备方法 [P].

蒋向东 ;

伍海峰 ;

王继岷 ;

孙悦 .

中国专利 :CN105568223A ,2016-05-11

[3]

硅纳米线的制备方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN102086024A ,2011-06-08

[4]

应变硅纳米线NMOSFET的制备方法 [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683204A ,2012-09-19

[5]

应变硅纳米线PMOSFET的制备方法 [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683206A ,2012-09-19

[6]

应变硅纳米线NMOSFET的制备方法 [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683214B ,2012-09-19

[7]

硅纳米线及其制备方法、硅纳米线的图形化制备方法 [P].

檀满林 ;

田勇 ;

张维丽 .

中国专利 :CN108996471A ,2018-12-14

[8]

一种制备硅纳米线的方法 [P].

霍海滨 ;

戴伦 ;

秦国刚 ;

杨卫全 ;

马仁敏 .

中国专利 :CN101165004A ,2008-04-23

[9]

一种硅纳米线的制备方法 [P].

姚楚豪 ;

李海亮 ;

谢常青 .

中国专利 :CN113345796A ,2021-09-03

[10]

一种硅纳米线的制备方法 [P].

范春晖 ;

王全 .

中国专利 :CN102427023A ,2012-04-25

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