Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310251573.7

申请日：

2013-06-21

公开(公告)号：

CN103320866B

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

陈平平卢振宇陆卫石遂兴周孝好

申请人：

申请人地址：

200083 上海市虹口区玉田路500号

IPC主分类号：

C30B2962

IPC分类号：

C30B2942 C30B2302

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

郭英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-25	公开	公开
2013-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101533529307 IPC(主分类):C30B 29/62 专利申请号:2013102515737 申请日:20130621
2019-06-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/62 申请日:20130621 授权公告日:20150729 终止日期:20180621

共 50 条

[1]

GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法 [P].

李美成 ;

熊敏 ;

王洪磊 .

中国专利 :CN100453690C ,2007-01-03

[2]

一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法 [P].

刘斌 ;

吴耀政 ;

张荣 ;

王科 ;

陶涛 ;

谢自力 ;

修向前 ;

陈敦军 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN110284198A ,2019-09-27

[3]

分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法 [P].

曾雄辉 ;

徐科 ;

王建峰 ;

任国强 ;

黄凯 ;

包峰 ;

张锦平 .

中国专利 :CN101748382A ,2010-06-23

[4]

纳米线异质外延生长方法 [P].

任晓敏 ;

黄辉 ;

郭经纬 ;

叶显 ;

王琦 ;

蔡世伟 ;

黄永清 .

中国专利 :CN102040191A ,2011-05-04

[5]

在Si衬底上生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 ;

李国强 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN109767972A ,2019-05-17

[6]

一种低温下生长GaAs纳米线的方法 [P].

张曙光 ;

林早阳 .

中国专利 :CN109801835A ,2019-05-24

[7]

InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长方法 [P].

李美成 ;

赵宇 ;

熊敏 .

中国专利 :CN102509700A ,2012-06-20

[8]

一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法 [P].

刘晓明 ;

李美成 ;

熊敏 ;

李洪涛 ;

赵连城 .

中国专利 :CN101724894A ,2010-06-09

[9]

分子束外延设备的外延生长室结构 [P].

梁枫 ;

张冬 ;

马志博 .

中国专利 :CN119433697A ,2025-02-14

[10]

铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 [P].

吴巨 ;

王宝强 ;

朱战平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1929154A ,2007-03-14

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