InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110433466.7

申请日：

2011-12-21

公开(公告)号：

CN102509700A

公开(公告)日：

2012-06-20

发明(设计)人：

李美成赵宇熊敏

申请人：

申请人地址：

102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

史双元

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724235373 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011104334667 申请公布日:20120620
2012-06-20	公开	公开
2012-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101301310055 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011104334667 申请日:20111221

共 50 条

[1]

一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 [P].

李密锋 ;

喻颖 ;

贺继方 ;

査国伟 ;

尚向军 ;

倪海桥 ;

贺振宏 ;

牛智川 .

中国专利 :CN103194793B ,2013-07-10

[2]

一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 [P].

牛智川 ;

倪海桥 ;

王海莉 ;

贺继方 ;

朱岩 ;

李密峰 ;

王鹏飞 ;

黄社松 ;

熊永华 .

中国专利 :CN102034909A ,2011-04-27

[3]

铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 [P].

吴巨 ;

王宝强 ;

朱战平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1929154A ,2007-03-14

[4]

一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法 [P].

刘晓明 ;

李美成 ;

熊敏 ;

李洪涛 ;

赵连城 .

中国专利 :CN101724894A ,2010-06-09

[5]

GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法 [P].

李美成 ;

熊敏 ;

王洪磊 .

中国专利 :CN100453690C ,2007-01-03

[6]

一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 [P].

于理科 ;

徐波 ;

王占国 ;

金鹏 ;

赵昶 ;

张秀兰 .

中国专利 :CN100369281C ,2007-03-07

[7]

衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法 [P].

赵旭熠 ;

尚金铭 ;

王玮竹 .

中国专利 :CN118756329B ,2025-07-22

[8]

衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法 [P].

赵旭熠 ;

尚金铭 ;

王玮竹 .

中国专利 :CN118756329A ,2024-10-11

[9]

一种集成生长与测量的分子束外延生长系统 [P].

徐永兵 ;

黄大威 ;

吴竞 ;

何亮 ;

刘文卿 ;

陆显扬 ;

张晓倩 .

中国专利 :CN106769889A ,2017-05-31

[10]

一种集成生长与测量的分子束外延生长系统 [P].

徐永兵 ;

黄大威 ;

吴竞 ;

何亮 ;

刘文卿 ;

陆显扬 ;

张晓倩 .

中国专利 :CN206573468U ,2017-10-20

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