一种集成生长与测量的分子束外延生长系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710004428.7

申请日：

2017-01-04

公开(公告)号：

CN106769889A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

徐永兵黄大威吴竞何亮刘文卿陆显扬张晓倩

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

G01N2121

IPC分类号：

G01N2101

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人：

陈建和

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729188322 IPC(主分类):G01N 21/21 专利申请号:2017100044287 申请日:20170104

共 50 条

[1]

一种集成生长与测量的分子束外延生长系统 [P].

徐永兵 ;

黄大威 ;

吴竞 ;

何亮 ;

刘文卿 ;

陆显扬 ;

张晓倩 .

中国专利 :CN206573468U ,2017-10-20

[2]

一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统 [P].

刘胜 ;

梁康 ;

宋云飞 ;

孙启盟 ;

杨德坤 ;

沈威 ;

吴改 ;

汪启军 ;

张文泽 .

中国专利 :CN118668293A ,2024-09-20

[3]

一种集成原位测量的分子束外延薄膜生长系统 [P].

刘胜 ;

梁康 ;

宋云飞 ;

孙启盟 ;

杨德坤 ;

沈威 ;

吴改 ;

汪启军 ;

张文泽 .

中国专利 :CN118668293B ,2025-03-18

[4]

GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法 [P].

李美成 ;

熊敏 ;

王洪磊 .

中国专利 :CN100453690C ,2007-01-03

[5]

InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长方法 [P].

李美成 ;

赵宇 ;

熊敏 .

中国专利 :CN102509700A ,2012-06-20

[6]

分子束外延生长设备蒸发部件 [P].

董国材 ;

张祥 ;

梁枫 .

中国专利 :CN306130131S ,2020-10-27

[7]

一种分子束外延生长表面监测装置 [P].

郭帅 ;

冯巍 .

中国专利 :CN211295044U ,2020-08-18

[8]

分子束外延设备的外延生长室结构 [P].

梁枫 ;

张冬 ;

马志博 .

中国专利 :CN119433697A ,2025-02-14

[9]

一种原位表征系统分子束外延生长源的延伸装置 [P].

孙建国 ;

唐文新 .

中国专利 :CN105112994A ,2015-12-02

[10]

分子束外延生长InGaAs/InP的界面处理方法 [P].

张国祯 ;

陈意桥 .

中国专利 :CN117476816B ,2024-03-26

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