GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610010308.X

申请日：

2006-07-21

公开(公告)号：

CN100453690C

公开(公告)日：

2007-01-03

发明(设计)人：

李美成熊敏王洪磊

申请人：

申请人地址：

150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C23C1422

IPC分类号：

C23C1454

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所

代理人：

荣玲

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101109707824 IPC(主分类):C23C 14/22 专利号:ZL200610010308X 申请日:20060721 授权公告日:20090121 终止日期:20100721
2007-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-03	公开	公开
2009-01-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaAs基InAs1-xSbx/InSb多量子阱薄膜的分子束外延生长方法 [P].

刘晓明 ;

李美成 ;

熊敏 ;

李洪涛 ;

赵连城 .

中国专利 :CN101724894A ,2010-06-09

[2]

GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法 [P].

李美成 ;

熊敏 ;

王洪磊 .

中国专利 :CN100404731C ,2007-02-07

[3]

InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长方法 [P].

李美成 ;

赵宇 ;

熊敏 .

中国专利 :CN102509700A ,2012-06-20

[4]

Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法 [P].

陈平平 ;

卢振宇 ;

陆卫 ;

石遂兴 ;

周孝好 .

中国专利 :CN103320866B ,2013-09-25

[5]

分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法 [P].

曾雄辉 ;

徐科 ;

王建峰 ;

任国强 ;

黄凯 ;

包峰 ;

张锦平 .

中国专利 :CN101748382A ,2010-06-23

[6]

一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 [P].

牛智川 ;

倪海桥 ;

王海莉 ;

贺继方 ;

朱岩 ;

李密峰 ;

王鹏飞 ;

黄社松 ;

熊永华 .

中国专利 :CN102034909A ,2011-04-27

[7]

铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 [P].

吴巨 ;

王宝强 ;

朱战平 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1929154A ,2007-03-14

[8]

衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法 [P].

赵旭熠 ;

尚金铭 ;

王玮竹 .

中国专利 :CN118756329B ,2025-07-22

[9]

衬底脱氧方法及半导体器件的分子束外延生长方法 [P].

赵旭熠 ;

尚金铭 ;

王玮竹 .

中国专利 :CN118756329A ,2024-10-11

[10]

一种集成生长与测量的分子束外延生长系统 [P].

徐永兵 ;

黄大威 ;

吴竞 ;

何亮 ;

刘文卿 ;

陆显扬 ;

张晓倩 .

中国专利 :CN106769889A ,2017-05-31

← 1 2 3 4 5 →