一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510398440.1

申请日：

2015-07-08

公开(公告)号：

CN105140102B

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

赵志飞李赟朱志明

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市中山东路524号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

南京君陶专利商标代理有限公司 32215

代理人：

沈根水

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-15	授权	授权
2015-12-09	公开	公开
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640707055 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015103984401 申请日:20150708

共 50 条

[1]

一种在硅衬底上制备β‑碳化硅薄膜的方法 [P].

赵志飞 ;

李赟 ;

朱志明 .

中国专利 :CN104561926B ,2015-04-29

[2]

在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法 [P].

郝跃 ;

彭军 .

中国专利 :CN1369904A ,2002-09-18

[3]

一种硅衬底上碳化硅外延层的制备方法 [P].

马宏平 ;

丁成蹊 .

中国专利 :CN120443343A ,2025-08-08

[4]

电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法 [P].

姜岩峰 .

中国专利 :CN101363118A ,2009-02-11

[5]

硅衬底的碳化硅外延层的生长方法以及硅基碳化硅外延片 [P].

涂承明 .

中国专利 :CN117293015B ,2024-02-20

[6]

在硅衬底上形成碳化硅的方法 [P].

罗兰·皮舍 ;

斯蒂芬·迪格鲁特 ;

乔夫·德卢伊 .

中国专利 :CN111512416A ,2020-08-07

[7]

在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法 [P].

陈诺夫 ;

杨霏 .

中国专利 :CN1719581A ,2006-01-11

[8]

一种在硅衬底上形成单晶碳化硅薄膜的方法 [P].

林健峯 .

中国专利 :CN113957535B ,2022-01-21

[9]

图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 [P].

赵永梅 ;

孙国胜 ;

刘兴昉 ;

王亮 ;

王雷 ;

赵万顺 ;

李晋闽 ;

曾一平 .

中国专利 :CN101442010A ,2009-05-27

[10]

格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法 [P].

刘兴昉 ;

闫果果 ;

申占伟 ;

温正欣 ;

陈俊 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

张峰 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN107768238B ,2018-03-06

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