格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710914652.X

申请日：

2017-09-29

公开(公告)号：

CN107768238B

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

刘兴昉闫果果申占伟温正欣陈俊赵万顺王雷张峰孙国胜曾一平

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

曹玲柱

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20170929
2018-03-06	公开	公开
2020-08-04	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置 [P].

丁昌钊 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN222861711U ,2025-05-13

[2]

碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片 [P].

张士良 ;

冯尹 ;

张鹏 ;

马万里 ;

钟泳生 .

中国专利 :CN120967508A ,2025-11-18

[3]

碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P].

李哲洋 ;

王迦卉 ;

于乐 ;

金锐 .

中国专利 :CN119877095B ,2025-08-08

[4]

碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P].

李哲洋 ;

王迦卉 ;

于乐 ;

金锐 .

中国专利 :CN119877095A ,2025-04-25

[5]

碳化硅的外延生长方法 [P].

伊藤涉 ;

蓝乡崇 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN107075728A ,2017-08-18

[6]

一种碳化硅外延生长的控制方法及碳化硅外延片 [P].

黄海林 ;

冯淦 ;

赵建辉 .

中国专利 :CN112466745B ,2021-03-09

[7]

碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

香月真一郎 ;

小林和雄 ;

日野泰成 .

中国专利 :CN112210827A ,2021-01-12

[8]

碳化硅外延生长设备 [P].

邓家乐 ;

谢添乐 ;

巩小亮 ;

巴赛 ;

胡志坤 ;

石磊 ;

李彦斌 .

中国专利 :CN309106980S ,2025-02-11

[9]

碳化硅外延生长设备 [P].

陈豪杰 ;

范谞 ;

余乐俊 ;

吕威 ;

周辜名 .

中国专利 :CN223496708U ,2025-10-31

[10]

碳化硅外延生长设备 [P].

陈豪杰 ;

范谞 ;

余乐俊 ;

吕威 ;

周辜名 .

中国专利 :CN119392374A ,2025-02-07

← 1 2 3 4 5 →