电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710120174.1

申请日：

2007-08-10

公开(公告)号：

CN101363118A

公开(公告)日：

2009-02-11

发明(设计)人：

姜岩峰

申请人：

申请人地址：

100041北京市石景山区晋元庄5号

IPC主分类号：

C23C16505

IPC分类号：

C23C1632 C23C1652

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司

代理人：

赵镇勇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-11	公开	公开
2010-06-16	授权	授权
2015-09-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101627799415 IPC(主分类):C23C 16/505 专利号:ZL2007101201741 申请日:20070810 授权公告日:20100616 终止日期:20140810

共 50 条

[1]

一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法 [P].

赵志飞 ;

李赟 ;

朱志明 .

中国专利 :CN105140102B ,2015-12-09

[2]

一种在硅衬底上制备β‑碳化硅薄膜的方法 [P].

赵志飞 ;

李赟 ;

朱志明 .

中国专利 :CN104561926B ,2015-04-29

[3]

电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法 [P].

叶如彬 ;

涂乐义 ;

梁洁 .

中国专利 :CN108269728A ,2018-07-10

[4]

电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法 [P].

叶如彬 ;

涂乐义 ;

梁洁 .

中国专利 :CN108269727A ,2018-07-10

[5]

电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法 [P].

叶如彬 ;

梁洁 ;

涂乐义 ;

徐朝阳 ;

杨金全 .

中国专利 :CN107305830A ,2017-10-31

[6]

在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法 [P].

郝跃 ;

彭军 .

中国专利 :CN1369904A ,2002-09-18

[7]

在硅衬底上形成碳化硅的方法 [P].

罗兰·皮舍 ;

斯蒂芬·迪格鲁特 ;

乔夫·德卢伊 .

中国专利 :CN111512416A ,2020-08-07

[8]

在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法 [P].

陈诺夫 ;

杨霏 .

中国专利 :CN1719581A ,2006-01-11

[9]

碳化硅的等离子体切割 [P].

迈克尔·勒斯纳 ;

曼弗雷德·恩格尔哈特 ;

古德龙·施特兰茨尔 .

中国专利 :CN107507767B ,2017-12-22

[10]

图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 [P].

赵永梅 ;

孙国胜 ;

刘兴昉 ;

王亮 ;

王雷 ;

赵万顺 ;

李晋闽 ;

曾一平 .

中国专利 :CN101442010A ,2009-05-27

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