一种在硅衬底上制备β‑碳化硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410755713.9

申请日：

2014-12-11

公开(公告)号：

CN104561926B

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

赵志飞李赟朱志明

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市中山东路524号

IPC主分类号：

C23C1632

IPC分类号：

C30B2502 H01L2102

代理机构：

南京君陶专利商标代理有限公司 32215

代理人：

沈根水

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611404315 IPC(主分类):C23C 16/32 专利申请号:2014107557139 申请日:20141211
2015-04-29	公开	公开
2017-08-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法 [P].

赵志飞 ;

李赟 ;

朱志明 .

中国专利 :CN105140102B ,2015-12-09

[2]

在硅衬底上形成碳化硅的方法 [P].

罗兰·皮舍 ;

斯蒂芬·迪格鲁特 ;

乔夫·德卢伊 .

中国专利 :CN111512416A ,2020-08-07

[3]

一种在硅衬底上形成单晶碳化硅薄膜的方法 [P].

林健峯 .

中国专利 :CN113957535B ,2022-01-21

[4]

一种硅衬底上碳化硅外延层的制备方法 [P].

马宏平 ;

丁成蹊 .

中国专利 :CN120443343A ,2025-08-08

[5]

电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法 [P].

姜岩峰 .

中国专利 :CN101363118A ,2009-02-11

[6]

在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法 [P].

郝跃 ;

彭军 .

中国专利 :CN1369904A ,2002-09-18

[7]

碳化硅衬底薄膜的制备方法 [P].

周贞宏 ;

王萍 ;

韩永 .

中国专利 :CN113921381A ,2022-01-11

[8]

在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法 [P].

陈诺夫 ;

杨霏 .

中国专利 :CN1719581A ,2006-01-11

[9]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333B ,2025-10-10

[10]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333A ,2025-06-24

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