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一种在硅衬底上形成单晶碳化硅薄膜的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111217293.5
申请日：
2021-10-19
公开(公告)号：
CN113957535B
公开(公告)日：
2022-01-21
发明(设计)人：
林健峯
申请人：
申请人地址：
广东省深圳市福田区福田街道口岸社区同庆路9号廊桥国际B座19B
IPC主分类号：
C30B2936
IPC分类号：
C30B2502
C30B2510
C30B2514
代理机构：
东莞市卓越超群知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44462
代理人：
徐建秀
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-02-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20211019 |
| 2022-12-27 | 授权 | 授权 |
| 2022-01-21 | 公开 | 公开 |