制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410231410.7

申请日：

2014-05-28

公开(公告)号：

CN104278322A

公开(公告)日：

2015-01-14

发明(设计)人：

本家翼冲田恭子川濑智博堀勉

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101644911811 IPC(主分类):C30B 23/00 专利申请号:2014102314107 申请日:20140528
2015-01-14	公开	公开
2020-11-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 23/00 申请公布日:20150114

共 50 条

[1]

碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P].

境谷省吾 .

中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02

[2]

碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 ;

高野学 .

日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14

[3]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[4]

碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 [P].

近藤宏行 ;

恩田正一 ;

木藤泰男 ;

渡边弘纪 .

中国专利 :CN105074059B ,2015-11-18

[5]

碳化硅单晶衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 ;

川濑智博 ;

堀勉 .

中国专利 :CN111575786A ,2020-08-25

[6]

碳化硅单晶衬底 [P].

冲田恭子 ;

樱田隆 ;

高须贺英良 ;

上田俊策 ;

佐佐木将 ;

梶直树 ;

三岛英彦 ;

江口宽航 .

中国专利 :CN108495957B ,2018-09-04

[7]

碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P].

别役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

冈本武志 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05

[8]

碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭 [P].

別役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

堀合慧祥 ;

冈本武志 .

日本专利 :CN117822109A ,2024-04-05

[9]

制造碳化硅单晶的方法和碳化硅衬底 [P].

西口太郎 ;

原田真 ;

佐佐木信 .

中国专利 :CN102473605A ,2012-05-23

[10]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN106435733B ,2017-02-22

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