碳化硅单晶衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780007967.4

申请日：

2017-01-30

公开(公告)号：

CN108495957B

公开(公告)日：

2018-09-04

发明(设计)人：

冲田恭子樱田隆高须贺英良上田俊策佐佐木将梶直树三岛英彦江口宽航

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

G01N23207

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陈海涛;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20170130
2018-09-04	公开	公开
2022-11-25	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅单晶衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 ;

川濑智博 ;

堀勉 .

中国专利 :CN111575786A ,2020-08-25

[2]

制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 ;

川濑智博 ;

堀勉 .

中国专利 :CN104278322A ,2015-01-14

[3]

碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法 [P].

冲田恭子 ;

本家翼 .

中国专利 :CN110660840A ,2020-01-07

[4]

碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法 [P].

冲田恭子 ;

本家翼 .

中国专利 :CN106605289A ,2017-04-26

[5]

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110079862B ,2019-08-02

[6]

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN106133209A ,2016-11-16

[7]

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀勉 .

中国专利 :CN108369893B ,2018-08-03

[8]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN106435733B ,2017-02-22

[9]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN102187019A ,2011-09-14

[10]

制造碳化硅单晶的方法和碳化硅衬底 [P].

西口太郎 ;

原田真 ;

佐佐木信 .

中国专利 :CN102473605A ,2012-05-23

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