碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980140973.2
申请日
2009-10-14
公开(公告)号
CN102187019A
公开(公告)日
2011-09-14
发明(设计)人
中林正史 藤本辰雄 胜野正和 柘植弘志
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C30B2936
IPC分类号
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
段承恩;田欣
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P]. 
中林正史 ;
藤本辰雄 ;
胜野正和 ;
柘植弘志 .
中国专利 :CN106435733B ,2017-02-22
[2]
碳化硅单晶、碳化硅单晶晶片、碳化硅单晶外延晶片、电子器件 [P]. 
冈本武志 ;
近藤宏行 ;
金村高司 ;
宫原真一朗 ;
海老原康裕 ;
恩田正一 ;
土田秀一 ;
镰田功穗 ;
田沼良平 .
中国专利 :CN108026661A ,2018-05-11
[3]
碳化硅单晶晶圆和碳化硅单晶锭 [P]. 
梅崎智典 ;
熊谷和人 .
日本专利 :CN118043505A ,2024-05-14
[4]
碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P]. 
梅崎智典 ;
熊谷和人 ;
高野学 .
日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14
[5]
碳化硅单晶晶片、和碳化硅单晶锭的制造方法 [P]. 
中林正史 ;
下村光太 ;
永畑幸雄 ;
小岛清 .
中国专利 :CN105658846A ,2016-06-08
[6]
碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P]. 
别役洁 ;
星乃纪博 ;
镰田功穗 ;
土田秀一 ;
冈本武志 ;
神田贵裕 .
日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05
[7]
碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法 [P]. 
镰田功穗 ;
土田秀一 ;
星乃纪博 ;
德田雄一郎 ;
冈本武志 .
中国专利 :CN112626618A ,2021-04-09
[8]
外延碳化硅单晶晶片的制造方法以及外延碳化硅单晶晶片 [P]. 
蓝乡崇 ;
伊藤涉 ;
藤本辰雄 .
中国专利 :CN107002282A ,2017-08-01
[9]
碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P]. 
境谷省吾 .
中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02
[10]
碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P]. 
榊原聪真 ;
神田贵裕 .
日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07