碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280066171.7

申请日：

2022-09-26

公开(公告)号：

CN118043504A

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

梅崎智典熊谷和人高野学

申请人：

中央硝子株式会社

申请人地址：

日本山口县

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B19/10

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李恩华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20220926
2024-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅单晶晶圆和碳化硅单晶锭 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 .

日本专利 :CN118043505A ,2024-05-14

[2]

碳化硅单晶晶片、和碳化硅单晶锭的制造方法 [P].

中林正史 ;

下村光太 ;

永畑幸雄 ;

小岛清 .

中国专利 :CN105658846A ,2016-06-08

[3]

碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P].

别役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

冈本武志 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05

[4]

碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭 [P].

別役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

堀合慧祥 ;

冈本武志 .

日本专利 :CN117822109A ,2024-04-05

[5]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN106435733B ,2017-02-22

[6]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN102187019A ,2011-09-14

[7]

碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法 [P].

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

星乃纪博 ;

德田雄一郎 ;

冈本武志 .

中国专利 :CN112626618A ,2021-04-09

[8]

碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P].

境谷省吾 .

中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02

[9]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[10]

碳化硅单晶、碳化硅单晶晶片、碳化硅单晶外延晶片、电子器件 [P].

冈本武志 ;

近藤宏行 ;

金村高司 ;

宫原真一朗 ;

海老原康裕 ;

恩田正一 ;

土田秀一 ;

镰田功穗 ;

田沼良平 .

中国专利 :CN108026661A ,2018-05-11

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