碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580017272.5

申请日：

2015-02-09

公开(公告)号：

CN106133209A

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

本家翼冲田恭子

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

B24B3710 C23C1642 C30B2520 H01L21205 H01L21304

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	授权	授权
2016-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101691378746 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2015800172725 申请日:20150209
2016-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110079862B ,2019-08-02

[2]

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀勉 .

中国专利 :CN108369893B ,2018-08-03

[3]

碳化硅衬底和碳化硅外延衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110651072A ,2020-01-03

[4]

碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法 [P].

冲田恭子 ;

本家翼 .

中国专利 :CN110660840A ,2020-01-07

[5]

碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法 [P].

冲田恭子 ;

本家翼 .

中国专利 :CN106605289A ,2017-04-26

[6]

制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 ;

川濑智博 ;

堀勉 .

中国专利 :CN104278322A ,2015-01-14

[7]

碳化硅单晶衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 ;

川濑智博 ;

堀勉 .

中国专利 :CN111575786A ,2020-08-25

[8]

碳化硅单晶衬底 [P].

冲田恭子 ;

樱田隆 ;

高须贺英良 ;

上田俊策 ;

佐佐木将 ;

梶直树 ;

三岛英彦 ;

江口宽航 .

中国专利 :CN108495957B ,2018-09-04

[9]

碳化硅外延衬底 [P].

堀勉 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN208266305U ,2018-12-21

[10]

碳化硅外延衬底 [P].

堀勉 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN207091557U ,2018-03-13

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