碳化硅外延衬底

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201690000223.0

申请日：

2016-07-04

公开(公告)号：

CN207091557U

公开(公告)日：

2018-03-13

发明(设计)人：

堀勉伊东洋典

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

韩峰;孙志湧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-13	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅外延衬底 [P].

堀勉 ;

伊东洋典 .

中国专利 :CN208266305U ,2018-12-21

[2]

碳化硅外延衬底 [P].

榎薗太郎 ;

堀勉 ;

西口太郞 .

日本专利 :CN112514077B ,2024-08-16

[3]

碳化硅外延衬底 [P].

榎薗太郎 ;

堀勉 ;

西口太郞 .

中国专利 :CN112514077A ,2021-03-16

[4]

碳化硅衬底和碳化硅外延衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110651072A ,2020-01-03

[5]

碳化硅外延衬底及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

伊东洋典 ;

西口太郎 ;

平塚健二 .

中国专利 :CN108463871A ,2018-08-28

[6]

碳化硅外延衬底、制造碳化硅外延衬底的方法、制造碳化硅半导体器件的方法、碳化硅生长装置和碳化硅生长装置部件 [P].

玄番润 ;

西口太郎 ;

土井秀之 ;

松岛彰 .

中国专利 :CN105579625A ,2016-05-11

[7]

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

堀勉 .

中国专利 :CN108369893B ,2018-08-03

[8]

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110079862B ,2019-08-02

[9]

碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN106133209A ,2016-11-16

[10]

碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P].

堀勉 ;

塩见弘 ;

宫濑贵也 .

日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28

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