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碳化硅外延衬底

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202080004078.4
申请日：
2020-06-02
公开(公告)号：
CN112514077A
公开(公告)日：
2021-03-16
发明(设计)人：
榎薗太郎 堀勉 西口太郞
申请人：
申请人地址：
日本大阪
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2924 H01L2916 H01L2936
代理机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人：
沈丹阳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-03-16 公开 公开
2022-02-25 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200602
共 50 条
[1]
碳化硅外延衬底 [P]. 
榎薗太郎 ;
堀勉 ;
西口太郞 .
日本专利 :CN112514077B ,2024-08-16
[2]
碳化硅衬底和碳化硅外延衬底 [P]. 
本家翼 ;
冲田恭子 .
中国专利 :CN110651072A ,2020-01-03
[3]
碳化硅外延衬底 [P]. 
堀勉 ;
伊东洋典 .
中国专利 :CN208266305U ,2018-12-21
[4]
碳化硅外延衬底 [P]. 
堀勉 ;
伊东洋典 .
中国专利 :CN207091557U ,2018-03-13
[5]
碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P]. 
堀勉 ;
塩见弘 ;
宫濑贵也 .
日本专利 :CN112335057B ,2024-06-28
[6]
碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件 [P]. 
堀勉 ;
塩见弘 ;
宫濑贵也 .
中国专利 :CN112335057A ,2021-02-05
[7]
碳化硅衬底、碳化硅外延衬底以及碳化硅半导体器件的制造方法 [P]. 
椎原贵洋 ;
冲田恭子 .
日本专利 :CN121127635A ,2025-12-12
[8]
碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件的制造方法 [P]. 
伊东洋典 ;
西口太郎 ;
樱田隆 .
日本专利 :CN115003866B ,2024-05-03
[9]
碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件的制造方法 [P]. 
伊东洋典 ;
西口太郎 ;
樱田隆 .
中国专利 :CN115003866A ,2022-09-02
[10]
一种碳化硅外延衬底 [P]. 
郑友进 ;
黄海亮 ;
左桂鸿 ;
王丹 .
中国专利 :CN110600594A ,2019-12-20
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