碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480009593.6

申请日：

2014-01-13

公开(公告)号：

CN105074059B

公开(公告)日：

2015-11-18

发明(设计)人：

近藤宏行恩田正一木藤泰男渡边弘纪

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

刘凤岭;陈建全

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-29	授权	授权
2015-11-18	公开	公开
2015-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101637742549 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2014800095936 申请日:20140113

共 50 条

[1]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[2]

碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P].

境谷省吾 .

中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02

[3]

碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 ;

高野学 .

日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14

[4]

碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P].

别役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

冈本武志 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05

[5]

碳化硅单晶制造方法及碳化硅单晶制造装置 [P].

榊原聪真 ;

堀合慧祥 .

日本专利 :CN120945486A ,2025-11-14

[6]

碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭 [P].

別役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

堀合慧祥 ;

冈本武志 .

日本专利 :CN117822109A ,2024-04-05

[7]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶基板 [P].

佐藤信也 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 ;

中林正史 .

中国专利 :CN107002281A ,2017-08-01

[8]

制造碳化硅单晶的方法和碳化硅单晶衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 ;

川濑智博 ;

堀勉 .

中国专利 :CN104278322A ,2015-01-14

[9]

碳化硅单晶制造装置及碳化硅单晶的制造方法 [P].

大矢信之 .

中国专利 :CN112166210A ,2021-01-01

[10]

碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 [P].

中林正史 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 .

中国专利 :CN106435733B ,2017-02-22

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