碳化硅单晶制造装置及碳化硅单晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980033272.2

申请日：

2019-05-23

公开(公告)号：

CN112166210A

公开(公告)日：

2021-01-01

发明(设计)人：

大矢信之

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2512 H01L21205

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

高迪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20190523
2021-01-01	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅单晶制造方法及碳化硅单晶制造装置 [P].

榊原聪真 ;

堀合慧祥 .

日本专利 :CN120945486A ,2025-11-14

[2]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[3]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶基板 [P].

佐藤信也 ;

藤本辰雄 ;

胜野正和 ;

柘植弘志 ;

中林正史 .

中国专利 :CN107002281A ,2017-08-01

[4]

碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭 [P].

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

神田贵裕 ;

冈本武志 .

中国专利 :CN114351253A ,2022-04-15

[5]

碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 [P].

近藤宏行 ;

恩田正一 ;

木藤泰男 ;

渡边弘纪 .

中国专利 :CN105074059B ,2015-11-18

[6]

碳化硅单晶的制造装置和碳化硅单晶的制造方法 [P].

奥野宪一郎 .

中国专利 :CN102395716A ,2012-03-28

[7]

碳化硅单晶和碳化硅单晶的制造方法 [P].

境谷省吾 .

中国专利 :CN115427615A ,2022-12-02

[8]

碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 ;

高野学 .

日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14

[9]

碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN110331437B ,2019-10-15

[10]

碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN110359087B ,2019-10-22

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