碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭

被引：0

申请号：

CN202111193447.1

申请日：

2021-10-13

公开(公告)号：

CN114351253A

公开(公告)日：

2022-04-15

发明(设计)人：

星乃纪博镰田功穗土田秀一神田贵裕冈本武志

申请人：

申请人地址：

日本爱知县刈谷市

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2510 C30B2516 C30B2508 C30B3302

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张泽洲;张一舟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20211013
2022-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅单晶制造方法及碳化硅单晶制造装置 [P].

榊原聪真 ;

堀合慧祥 .

日本专利 :CN120945486A ,2025-11-14

[2]

碳化硅单晶制造装置及碳化硅单晶的制造方法 [P].

大矢信之 .

中国专利 :CN112166210A ,2021-01-01

[3]

碳化硅单晶的制造方法和碳化硅单晶锭 [P].

別役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

堀合慧祥 ;

冈本武志 .

日本专利 :CN117822109A ,2024-04-05

[4]

碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法 [P].

梅崎智典 ;

熊谷和人 ;

高野学 .

日本专利 :CN118043504A ,2024-05-14

[5]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[6]

碳化硅单晶锭、碳化硅晶片和碳化硅单晶的制造方法 [P].

别役洁 ;

星乃纪博 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

冈本武志 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN117822118A ,2024-04-05

[7]

碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法 [P].

近藤宏行 ;

恩田正一 ;

木藤泰男 ;

渡边弘纪 .

中国专利 :CN105074059B ,2015-11-18

[8]

碳化硅单晶的制造装置和碳化硅单晶的制造方法 [P].

奥野宪一郎 .

中国专利 :CN102395716A ,2012-03-28

[9]

碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法 [P].

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

星乃纪博 ;

德田雄一郎 ;

冈本武志 .

中国专利 :CN112626618A ,2021-04-09

[10]

碳化硅单晶晶片、和碳化硅单晶锭的制造方法 [P].

中林正史 ;

下村光太 ;

永畑幸雄 ;

小岛清 .

中国专利 :CN105658846A ,2016-06-08

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