在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01106742.X

申请日：

2001-02-14

公开(公告)号：

CN1369904A

公开(公告)日：

2002-09-18

发明(设计)人：

郝跃彭军

申请人：

申请人地址：

710071陕西省西安市太白路2号

IPC主分类号：

H01L21365

IPC分类号：

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

王品华

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-08-15	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-08-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2002-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-09-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法 [P].

赵志飞 ;

李赟 ;

朱志明 .

中国专利 :CN105140102B ,2015-12-09

[2]

碳化硅的外延生长方法 [P].

伊藤涉 ;

蓝乡崇 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN107075728A ,2017-08-18

[3]

在蓝宝石衬底上生长外延用AlN模板的方法 [P].

赵红 ;

李艳炯 .

中国专利 :CN103474331A ,2013-12-25

[4]

在纳米图形化蓝宝石衬底上外延生长氮化铝的方法 [P].

刘忠范 ;

陈召龙 ;

高鹏 .

中国专利 :CN109119327A ,2019-01-01

[5]

格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法 [P].

刘兴昉 ;

闫果果 ;

申占伟 ;

温正欣 ;

陈俊 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

张峰 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN107768238B ,2018-03-06

[6]

用于碳化硅衬底的外延生长室 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN119465391A ,2025-02-18

[7]

在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102394261A ,2012-03-28

[8]

碳化硅外延生长环和碳化硅外延生长装置 [P].

丁昌钊 ;

巩泉雨 ;

区灿林 ;

谢春林 ;

周维 .

中国专利 :CN222861711U ,2025-05-13

[9]

碳化硅外延衬底、制造碳化硅外延衬底的方法、制造碳化硅半导体器件的方法、碳化硅生长装置和碳化硅生长装置部件 [P].

玄番润 ;

西口太郎 ;

土井秀之 ;

松岛彰 .

中国专利 :CN105579625A ,2016-05-11

[10]

碳化硅衬底和碳化硅外延衬底 [P].

本家翼 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN110651072A ,2020-01-03

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