在蓝宝石衬底上生长外延用AlN模板的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310461033.1

申请日：

2013-10-08

公开(公告)号：

CN103474331A

公开(公告)日：

2013-12-25

发明(设计)人：

赵红李艳炯

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21205 H01L3300

代理机构：

重庆辉腾律师事务所 50215

代理人：

侯懋琪;侯春乐

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	授权	授权
2013-12-25	公开	公开
2014-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101564927627 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013104610331 申请日:20131008

共 50 条

[1]

在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102394261A ,2012-03-28

[2]

在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法 [P].

郝跃 ;

彭军 .

中国专利 :CN1369904A ,2002-09-18

[3]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895487U ,2014-10-22

[4]

在纳米图形化蓝宝石衬底上外延生长氮化铝的方法 [P].

刘忠范 ;

陈召龙 ;

高鹏 .

中国专利 :CN109119327A ,2019-01-01

[5]

一种在蓝宝石上外延GaN层的方法 [P].

刘新科 ;

刘治文 ;

高博 .

中国专利 :CN110938869B ,2020-03-31

[6]

一种在蓝宝石衬底上生长石墨烯的方法 [P].

康森 ;

倪浩然 ;

常慧 ;

王国强 ;

钱煜 ;

冯利苗 ;

乐刚 .

中国专利 :CN107827101A ,2018-03-23

[7]

一种蓝宝石衬底AlN外延层高电子迁移率晶体管生长方法 [P].

何苗 ;

陈芳胜 ;

郑树文 .

中国专利 :CN104091759A ,2014-10-08

[8]

在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法 [P].

宁静 ;

闫朝超 ;

王东 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王博宇 .

中国专利 :CN110289207A ,2019-09-27

[9]

在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置 [P].

侯想 ;

仇凯弘 .

中国专利 :CN206259379U ,2017-06-16

[10]

在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法 [P].

何清华 ;

刘榕 ;

董彬忠 ;

陈长清 ;

刘昌 .

中国专利 :CN101431018B ,2009-05-13

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