在硅衬底上生长的发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380015388.6

申请日：

2013-03-18

公开(公告)号：

CN104205369A

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

R.辛格 J.E.埃普勒

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L3316

IPC分类号：

H01L3312 H01L3344 H01L3332

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王兴秋;汪扬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-10	公开	公开
2019-11-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/16 申请公布日:20141210
2018-04-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/16 登记生效日:20180326 变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦有限公司变更后权利人:亮锐控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰史基浦
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101606319595 IPC(主分类):H01L 33/16 专利申请号:2013800153886 申请日:20130318

共 50 条

[1]

在硅衬底上生长的发光器件 [P].

R.辛格 ;

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN110246941A ,2019-09-17

[2]

复合衬底上生长的半导体发光器件 [P].

M.B.麦克劳林 ;

M.R.拉姆斯 .

中国专利 :CN102165609A ,2011-08-24

[3]

生长于波长转换衬底上的发光器件 [P].

N.F.加德纳 ;

A.J.F.达维达 ;

O.B.施彻金 .

中国专利 :CN102870238A ,2013-01-09

[4]

形成复合衬底以及在复合衬底上生长III-V族发光器件的方法 [P].

N.F.加德纳 ;

M.R.克拉梅斯 ;

M.B.麦老恩 ;

S.伊 .

中国专利 :CN102696120B ,2012-09-26

[5]

生长衬底及发光器件 [P].

李定植 .

中国专利 :CN102790148A ,2012-11-21

[6]

在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 [P].

刘祥林 ;

焦春美 ;

于英仪 ;

赵凤瑗 .

中国专利 :CN1779910A ,2006-05-31

[7]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[8]

在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法 [P].

江风益 ;

方文卿 ;

王立 ;

莫春兰 ;

刘和初 ;

周毛兴 .

中国专利 :CN1953220A ,2007-04-25

[9]

在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法 [P].

江风益 ;

方文卿 ;

王立 ;

莫春兰 ;

刘和初 ;

周毛兴 .

中国专利 :CN1697205A ,2005-11-16

[10]

在硅衬底上生长III-氮化物的新方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

张晋诚 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103094314A ,2013-05-08

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