复合衬底上生长的半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980137469.7

申请日：

2009-09-21

公开(公告)号：

CN102165609A

公开(公告)日：

2011-08-24

发明(设计)人：

M.B.麦克劳林 M.R.拉姆斯

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3308 H01L3362 H01L2715 H01L3312 H01L3338 H01L3350

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

初媛媛;刘鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101136739781 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009801374697 申请日:20090921
2020-09-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20200828 变更事项:专利权人变更前权利人:亮锐有限责任公司变更后权利人:亮锐控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:荷兰史基浦变更事项:共同专利权人变更前权利人:皇家飞利浦有限公司
2011-08-24	公开	公开
2013-12-04	授权	授权
2020-09-18	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:专利权人变更前:飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司变更后:亮锐有限责任公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州变更事项:共同专利权人变更前:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后:皇家飞利浦有限公司

共 50 条

[1]

在硅衬底上生长的发光器件 [P].

R.辛格 ;

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN104205369A ,2014-12-10

[2]

在硅衬底上生长的发光器件 [P].

R.辛格 ;

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN110246941A ,2019-09-17

[3]

半导体发光器件中生长的光子晶体 [P].

J·J·小韦勒 ;

M·R·克雷默斯 ;

N·F·加德纳 .

中国专利 :CN101278411A ,2008-10-01

[4]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN101246944B ,2008-08-20

[5]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN100416876C ,2007-01-31

[6]

半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102822996B ,2012-12-12

[7]

用于半导体发光器件的接触 [P].

J.E.埃普勒 ;

A.J.F.戴维德 .

中国专利 :CN102804417A ,2012-11-28

[8]

用于半导体发光器件的接触 [P].

J.E.埃普勒 ;

A.J.F.戴维德 .

中国专利 :CN106057987A ,2016-10-26

[9]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN108269756A ,2018-07-10

[10]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN107086198B ,2017-08-22

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