半导体发光器件中生长的光子晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680021717.8

申请日：

2006-06-14

公开(公告)号：

CN101278411A

公开(公告)日：

2008-10-01

发明(设计)人：

J·J·小韦勒 M·R·克雷默斯 N·F·加德纳

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

G02B613 G02B6122 C30B2960

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

李静岚;谭祐祥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-03	授权	授权
2008-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN101246944B ,2008-08-20

[2]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN100416876C ,2007-01-31

[3]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[4]

复合衬底上生长的半导体发光器件 [P].

M.B.麦克劳林 ;

M.R.拉姆斯 .

中国专利 :CN102165609A ,2011-08-24

[5]

紫外半导体发光器件 [P].

朴永焕 ;

金美贤 ;

徐钟旭 .

中国专利 :CN110010734A ,2019-07-12

[6]

紫外半导体发光器件 [P].

朴永焕 ;

金美贤 ;

徐钟旭 .

韩国专利 :CN110010734B ,2024-03-15

[7]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN102751405A ,2012-10-24

[8]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101807642A ,2010-08-18

[9]

半导体发光器件 [P].

李洁 ;

姚强 .

中国专利 :CN213716926U ,2021-07-16

[10]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108365074A ,2018-08-03

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