紫外半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811521399.2

申请日：

2018-12-12

公开(公告)号：

CN110010734A

公开(公告)日：

2019-07-12

发明(设计)人：

朴永焕金美贤徐钟旭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3324

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

倪斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/24 申请日:20181212
2019-07-12	公开	公开

共 50 条

[1]

紫外半导体发光器件 [P].

朴永焕 ;

金美贤 ;

徐钟旭 .

韩国专利 :CN110010734B ,2024-03-15

[2]

紫外半导体发光器件 [P].

金载焄 .

中国专利 :CN103137806A ,2013-06-05

[3]

紫外半导体发光器件 [P].

周玉刚 ;

余显正 ;

张荣 .

中国专利 :CN204857768U ,2015-12-09

[4]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[5]

半导体发光器件 [P].

李尚烈 .

中国专利 :CN102017195A ,2011-04-13

[6]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN102751405A ,2012-10-24

[7]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101807642A ,2010-08-18

[8]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN101246944B ,2008-08-20

[9]

半导体发光器件 [P].

猪塚幸 ;

小幡进 ;

木村晃也 ;

小岛章弘 ;

秋元阳介 ;

杉崎吉昭 .

中国专利 :CN103403895B ,2013-11-20

[10]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108365074A ,2018-08-03

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