将衬底接合到半导体发光器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810161389.6

申请日：

2012-07-30

公开(公告)号：

CN108269756A

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

G.巴辛 J.E.伊普勒 P.S.马丁

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L21683

IPC分类号：

H01L2160 H01L3300 H01L3348 H01L3350

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

孙慧;陈岚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-10	公开	公开
2018-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/683 申请日:20120730
2022-06-03	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/683 登记生效日:20220523 变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦有限公司变更后权利人:亮锐控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰史基浦
2022-06-03	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/683 登记生效日:20220523 变更事项:申请人变更前权利人:亮锐控股有限公司变更后权利人:亮锐有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰史基浦变更后权利人:美国加利福尼亚州

共 50 条

[1]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN107086198B ,2017-08-22

[2]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN103858243A ,2014-06-11

[3]

将半导体发光器件光学耦合到光纤上的半导体器件 [P].

吉泽哲 .

中国专利 :CN1410791A ,2003-04-16

[4]

半导体发光器件将发光器件附着到支撑衬底的方法 [P].

D.A.斯特格瓦德 ;

J.C.布哈特 ;

S.阿克拉姆 .

中国专利 :CN107706279A ,2018-02-16

[5]

用于将微结构接合到半导体衬底的方法及其半导体结构 [P].

G·M·科恩 ;

P·M·穆尼 ;

V·K·帕鲁许里 .

中国专利 :CN1779949A ,2006-05-31

[6]

复合衬底上生长的半导体发光器件 [P].

M.B.麦克劳林 ;

M.R.拉姆斯 .

中国专利 :CN102165609A ,2011-08-24

[7]

半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法 [P].

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN102473807B ,2012-05-23

[8]

键合到支撑衬底的发光器件 [P].

J.C.布哈特 ;

S.阿克拉姆 ;

D.A.斯泰格瓦德 .

中国专利 :CN111509103A ,2020-08-07

[9]

键合到支撑衬底的发光器件 [P].

J.C.布哈特 ;

S.阿克拉姆 ;

D.A.斯泰格瓦德 .

中国专利 :CN103563099A ,2014-02-05

[10]

半导体发光器件 [P].

崔繁在 ;

朴永洙 ;

柳荣浩 ;

朴泰荣 ;

洪镇基 .

中国专利 :CN105390580A ,2016-03-09

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