将衬底接合到半导体发光器件的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710012849.4
申请日
2012-07-30
公开(公告)号
CN107086198B
公开(公告)日
2017-08-22
发明(设计)人
G.巴辛 J.E.伊普勒 P.S.马丁
申请人
申请人地址
荷兰史基浦
IPC主分类号
H01L21683
IPC分类号
H01L3300 H01L2160
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
孙之刚;陈岚
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P]. 
G.巴辛 ;
J.E.伊普勒 ;
P.S.马丁 .
中国专利 :CN103858243A ,2014-06-11
[2]
将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P]. 
G.巴辛 ;
J.E.伊普勒 ;
P.S.马丁 .
中国专利 :CN108269756A ,2018-07-10
[3]
将半导体发光器件光学耦合到光纤上的半导体器件 [P]. 
吉泽哲 .
中国专利 :CN1410791A ,2003-04-16
[4]
半导体发光器件将发光器件附着到支撑衬底的方法 [P]. 
D.A.斯特格瓦德 ;
J.C.布哈特 ;
S.阿克拉姆 .
中国专利 :CN107706279A ,2018-02-16
[5]
用于将微结构接合到半导体衬底的方法及其半导体结构 [P]. 
G·M·科恩 ;
P·M·穆尼 ;
V·K·帕鲁许里 .
中国专利 :CN1779949A ,2006-05-31
[6]
复合衬底上生长的半导体发光器件 [P]. 
M.B.麦克劳林 ;
M.R.拉姆斯 .
中国专利 :CN102165609A ,2011-08-24
[7]
半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法 [P]. 
J.E.埃普勒 .
中国专利 :CN102473807B ,2012-05-23
[8]
键合到支撑衬底的发光器件 [P]. 
J.C.布哈特 ;
S.阿克拉姆 ;
D.A.斯泰格瓦德 .
中国专利 :CN111509103A ,2020-08-07
[9]
键合到支撑衬底的发光器件 [P]. 
J.C.布哈特 ;
S.阿克拉姆 ;
D.A.斯泰格瓦德 .
中国专利 :CN103563099A ,2014-02-05
[10]
半导体发光器件 [P]. 
崔繁在 ;
朴永洙 ;
柳荣浩 ;
朴泰荣 ;
洪镇基 .
中国专利 :CN105390580A ,2016-03-09