半导体发光器件将发光器件附着到支撑衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710929496.4

申请日：

2012-05-21

公开(公告)号：

CN107706279A

公开(公告)日：

2018-02-16

发明(设计)人：

D.A.斯特格瓦德 J.C.布哈特 S.阿克拉姆

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L3346

IPC分类号：

H01L3348 H01L3350 H01L3358 H01L3362 H01L25075 H01L3300

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

景军平;陈岚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-16	公开	公开
2020-07-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/46 登记生效日:20200708 变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦有限公司变更后权利人:亮锐控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰史基浦
2018-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/46 申请日:20120521
2020-10-30	授权	授权

共 50 条

[1]

将发光器件附着到支撑衬底的方法 [P].

D.A.斯特格瓦德 ;

J.C.布哈特 ;

S.阿克拉姆 .

中国专利 :CN103582958A ,2014-02-12

[2]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN108269756A ,2018-07-10

[3]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN107086198B ,2017-08-22

[4]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN103858243A ,2014-06-11

[5]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[6]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

[7]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[8]

半导体发光器件的制造方法和半导体发光器件 [P].

平田照二 ;

成井启修 .

中国专利 :CN1311553A ,2001-09-05

[9]

半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法 [P].

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN102473807B ,2012-05-23

[10]

半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

山本修 .

中国专利 :CN1741294A ,2006-03-01

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