将发光器件附着到支撑衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280026933.7

申请日：

2012-05-21

公开(公告)号：

CN103582958A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

D.A.斯特格瓦德 J.C.布哈特 S.阿克拉姆

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李亚非;汪扬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	公开	公开
2018-09-07	授权	授权
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583379932 IPC(主分类):H01L 33/62 专利申请号:2012800269337 申请日:20120521
2018-04-17	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/62 登记生效日:20180329 变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦有限公司变更后权利人:亮锐控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰史基浦

共 50 条

[1]

半导体发光器件将发光器件附着到支撑衬底的方法 [P].

D.A.斯特格瓦德 ;

J.C.布哈特 ;

S.阿克拉姆 .

中国专利 :CN107706279A ,2018-02-16

[2]

键合到支撑衬底的发光器件 [P].

J.C.布哈特 ;

S.阿克拉姆 ;

D.A.斯泰格瓦德 .

中国专利 :CN103563099A ,2014-02-05

[3]

键合到支撑衬底的发光器件 [P].

J.C.布哈特 ;

S.阿克拉姆 ;

D.A.斯泰格瓦德 .

中国专利 :CN111509103A ,2020-08-07

[4]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN108269756A ,2018-07-10

[5]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN107086198B ,2017-08-22

[6]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN103858243A ,2014-06-11

[7]

GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件 [P].

秋田胜史 .

中国专利 :CN101308896A ,2008-11-19

[8]

化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件 [P].

山中贞则 ;

土田良彦 ;

小野善伸 ;

家近泰 .

中国专利 :CN1484324B ,2004-03-24

[9]

复合衬底上生长的半导体发光器件 [P].

M.B.麦克劳林 ;

M.R.拉姆斯 .

中国专利 :CN102165609A ,2011-08-24

[10]

具有成形衬底的半导体发光器件和制造所述器件的方法 [P].

T.洛佩斯 .

中国专利 :CN105849915A ,2016-08-10

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