化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03127475.7

申请日：

2003-07-08

公开(公告)号：

CN1484324B

公开(公告)日：

2004-03-24

发明(设计)人：

山中贞则土田良彦小野善伸家近泰

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S500

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

吴立明;梁永

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101623047522 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL031274757 申请日:20030708 授权公告日:20110119 终止日期:20140708
2011-01-19	授权	授权
2005-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-03-24	公开	公开

共 50 条

[1]

化合物半导体发光器件 [P].

宇田川隆 .

中国专利 :CN100413106C ,2007-04-11

[2]

化合物半导体发光器件 [P].

小野善伸 ;

山中贞则 .

中国专利 :CN101010812A ,2007-08-01

[3]

化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

竹内良一 ;

锅仓互 ;

宇田川隆 .

中国专利 :CN100413104C ,2007-04-11

[4]

半导体发光器件的制造方法和半导体发光器件 [P].

平田照二 ;

成井启修 .

中国专利 :CN1311553A ,2001-09-05

[5]

半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

山本修 .

中国专利 :CN1741294A ,2006-03-01

[6]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

[7]

制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件 [P].

金台勋 ;

金起范 ;

许元九 ;

金荣善 ;

金起成 .

中国专利 :CN102315340B ,2012-01-11

[8]

半导体发光器件用外延片和半导体发光器件 [P].

铃木良治 ;

大石昭夫 .

中国专利 :CN1705143A ,2005-12-07

[9]

半导体发光器件和氮化物半导体发光器件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN101276875B ,2008-10-01

[10]

半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法 [P].

尹浩相 ;

沈相均 .

中国专利 :CN101765924A ,2010-06-30

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